MNOS(Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor)는 전자공학에서 사용하는 반도체 구조 중 하나입니다. 이 구조는 주로 비휘발성 메모리 소자에 사용되며, 금속(Metal), 질화물(Nitride), 산화물(Oxide), 그리고 반도체(Semiconductor) 층으로 구성됩니다.
MNOS 구조의 주요 구성 요소:
1. Metal (금속): 게이트 전극 역할을 하는 층입니다. 전도성을 제공하여 전압을 가하는 역할을 합니다.
2. Nitride (질화물): 산화물 층 위에 놓이는 절연층으로, 트랩 전자를 저장하여 비휘발성 메모리 기능을 제공합니다.
3. Oxide (산화물): 반도체와 질화물 층 사이에 있는 절연층입니다. 전하의 흐름을 제어하고, 소자의 안정성을 높입니다.
4. Semiconductor (반도체): 주로 실리콘(Si)과 같은 재료로 구성되며, 전자 소자의 활성 층 역할을 합니다.MNOS의 특징:
• 비휘발성 메모리 소자로서, 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있습니다.
• 질화물 층에 전자를 트랩해 데이터를 저장하는 방식이 핵심입니다.
• 플래시 메모리나 EPROM 같은 메모리 기술에 사용됩니다.이 구조는 과거에 많이 사용되었으나, 최근에는 더 효율적인 구조가 개발되면서 사용 빈도가 줄어들었지만, 특정 응용 분야에서는 여전히 유용합니다.
