RAM(Random Access Memory)

• SRAM(Static RAM): 전원이 공급되는 한 내용이 계속 보존됩니다. 대칭 구조 회로와 두번 접근해야 하는 DRAM과 다르게 한번에 접근이 가능하기 때문에 DRAM보다 속도가 빠릅니다. 따라서 Register, Cache와 같은 곳에 사용됩니다.

• DRAM(Dynamic RAM): 일정 시간이 지나면 축전기가 전하를 누전하기 때문에 정보를 잃게 됩니다. 이를 방지하기 위해 기억 장치의 내용을 일정 시간마다 재생시켜야 하기 때문에 Dynamic RAM이라고 일컫습니다. 따라서 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(volatile memory)에 속합니다.

ROM(Read-Only Memory)

• Mask Programmed ROM: 제품 생산시 메모리의 내용을 기록하고 그 이후에는 삭제하거나 다시 프로그래밍할 수 없습니다.

• Field Programmable ROM: 초기 출하시에는 메모리가 비어있고 사용자가 단 한번만 프로그래밍 할 수 있습니다.

• EPROM(Erasable Programmable ROM): 메모리 수명이 다할때까지 사용자가 원할때마다 내용을 지우고 다시 프로그래밍 할 수 있습니다. 회로에서 제거하여 자외선을 쬐어 모든 내용을 지우고 ROM Writer라는 특별한 장비를 이용하여 메모리에 다시 내용을 프로그래밍합니다. 자외선을 쬐기 위해 상단에 투명한 창을 가지고 있습니다.

• EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM): 자외선이 나닌 전기적인 방법으로 내용을 지울 수 있는 EPROM을 EEPROM이라고 합니다. EPROM은 모든 내용을 한꺼번에 지우고 쓰지만 EEPROM은 byte단위로 지우고 쓸 수 있습니다. 또한 ROM Writer와 같은 장비가 필요없으며 보드에 장착된 채로 내용 수정이 가능합니다. 다만 프로그래밍 속도가 느린 것이 단점입니다.

• Flash Memory: byte 단위로 프로그래밍 하는 EEPROM과 다르게 512byte 블록 단위로 프로그래밍 합니다. 속도가 빠른 것이 장점입니다.

  • NOR형 Flash: 제어신호 및 전원 핀을 가지기 때문에 프로그램 저장용으로 주로 사용됩니다.
  • NAND형 Flash: 8개의 data선을 가지고 adress 및 제어명령이나 data를 읽기/쓰기 할 수 있기 때문에 동작이 복잡해지는 대신에 용량이 증가하여도 핀 수가 증가하지 않아 disk처럼 사용이 가능합니다.

Flash Memory의 경우 보통 ROM으로 분류하나 관점에 따라 RAM과 ROM의 중간쯤으로 별개로 취급할 수도 있습니다.