🔍 임의 접근 메모리(RAM)
임의 접근 메모리(Random Access Memory)는 메모리 위치 중 원하는 곳 어디든 원하는 순서로 쓰거나 읽을 수 있다. RAM은 정적(static)RAM (SRAM)과 동적(dynamic)RAM (DRAM)으로 나뉜다.
- SRAM
SRAM은 비싸지만 빠르다. 각 비트에 트랜지스터가 6개나 들어간다. - DRAM
DRAM은 한 비트에 트랜지스터 1개만 사용한다. 또한 단위 면적당 비트개수를 나타내는 집적도가 높기 때문에 큰 메모리 칩에 사용한다. 앞에서 공부했던 메모리의 구조는 DRAM의 구조들이다.
DRAM에서 행 주소를 저장하는 속도가 열 주소를 변경하는 것보다 더 빠르기 때문에 행을 페이지(page)부르기도 한다.
SRAM과 DRAM모두 휘발성메모리이다. 휘발성메모리는 말 그대로 전원이 끊어지면 데이터가 사라진다. 그럼 비휘발성 메모리도 있을까?
초기 메모리 형태인 '코어메모리'는 비휘발성 RAM이다. 코어 메모리는 전자기 간섭에 대해 저항력이 아주 크며 코어를 읽기 위한 감지선이 있다. 코어에 담긴 정보를 읽기 위해서는 코어의 자화 상태를 바꾸고 자기장이 흐르는지 감지해야하기 때문에 감지선이 필요하다.
📐 읽기 전용 메모리(ROM)
Read Only Memory라는 뜻을 가진 ROM은 읽기만 가능하다기 보다는 한 번 쓰고 나면 수정이 어려운 대신 여러번 읽을 수 있을 수 있는 메모리이다.
ROM메모리는 수가공적 방법으로 저장하는 방식부터 전자식으로 저장하는 방법으로 발전한다. 크게 순차적 메모리 -> PROM -> EPROM -> EEPRO 으로 발전한다
초기의 순차적 메모리(sequential memory)는 비트를 카드에 구멍을 뚫어 표시하는 방식이었다. 이 방식은 데이터를 일정한 순서로는 읽을 수 있지만 수정은 할 수 없어 불린다.
전자 장치에 사용되기 위해 프로그래밍한 내용을 넣을 메모리가 필요해졌다. 그래서 전자식으로 데이터를 저장하는 프로그래머블 읽기 전용메모리(PROM, Programmable ROM)이 등장했다.
PROM의 단점은 수정이 불가능하다는 것이다. 그래서 자외선으로 내용을 지울 수 있는 EPROM과 전기로 지울 수 있는 EEPROM이 등장했다.
🧱 블록장치
블록장치는 하나의 블록을 단위로 데이터를 대량으로 저장하는 디스크 드라이브나 테이프 같은 것이다. 초기에 쓰이던것은 디스크 드라이브와,플로피 디스크 같은 장치들이며 점차 플래시 메모리와 SSD로 발전했다.
