PN접합

myblack·2024년 9월 24일

전자회로

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반도체
전기전자공학적인 측면에서 고체는 전기가 잘 흐르는 도체, 그리고 전기가 흐르지 않는 절연체, 절연체와 도체의 중간에 해당하는 반도체로 분류

공유결합이란

실리콘 단결정은 실리콘 원자가 규칙적으로 늘어서 있다. 한 개의 실리콘원자는 최외각에 4개의 전자를 가지는 주기율표상의 Ⅳ족 원소이고, 서로 이웃하는 전자끼리 굳게 결합함으로써 결정을 이루게 되는데, 이러한 결합을 공유결합이라고 한다.

N형 P형 반도체

  • 순수 반도체인 진성 반도체(intrinsic semiconductor)는 원자핵에 결합되어 있는 전자가 움직일 수 없기 때문에 전류가 흐르지 않는다. 진성 반도체에 특정 불순물을 첨가하여 전자(electron)나 정공(Hole)의 수를 증가시켜 전기전도도를 조절할 수 있는데, 이러한 반도체를 외인성 반도체(Extrinsic) 혹은 불순물 반도체라고 한다.

N형 반도체

  • 순수한 반도체에 특정 불순물(5족 원소)을 첨가하여 전자(electron)의 수를 증가시킨 반도체.

  • 4족 원소인 실리콘 단결정(순수 반도체)에 최외각 전자가 5개인 인(P), 비소(As) 등 5족 원소를 불순물로 첨가하면 실리콘 원자와 공유결합 후, 전자가 남는 상태, 즉 잉여전자가 생긴다. 이 상태에서 실리콘 결정에 전압을 걸어주면 제자리를 못찾은 잉여전자는 자유전가가 되어 전류가 흐르는 것이다. 이를 n형 반도체하고 한다.

P형 반도체

  • 순수한 반도체에 특정 불순물(3족 원소)을 첨가하여 정공(hole)의 수를 증가시킨 반도체.

  • 4족 원소인 실리콘 단결정(순수 반도체)에 최외각 전자가 3개인 붕소(B) 등 3족 원소를 불순물로 첨가하면 실리콘 원자와 모두 공유 결합 후, 전가가 비어있는 상태, 즉 정공이 생김

PN접합 반도체

  • 가운데 부분에 전자와 정공이 상쇄된 공핍층 (Depletion layer) 존재.

  • 열평형 상태에서 P형 N형 사이의 에너지 준위차 Built in potential 존재해 확산 방지

바이어스 전압

순방향 바이어스

  • P형 영역에 +, N형 영역에 - 단자 인가.
  1. P형 내부의 정공은 +전극에 의해 접합면으로 밀려나고, N형 내부의 전자는 -전극에 의해 접합면으로 밀려난다.
  2. 밀려난 전자-정공이 공유결합하여 공핍층이 감소한다
  3. 공핍층이 감소해 에너지 밴드갭이 줄어 전류가 쉽게 흐른다.

역방향 바이어스

  • P형 영역에 -, N형 영역에 + 단자 인가.
  1. P형의 정공은 음극 쪽으로, N형의 전자는 양극 쪽으로 몰림
  2. 공핍층 넓어지면서 전류 안흐름
  3. 각 반도체의 소수캐리어로 인해 역방향 바이어스 전류 (누설전류) 흐름

항복 (break down)

  • 역방향 바이어스 전압 인가시 PN접합의 소수캐리어로 미세 전류 흐름.
    역방향 바이어스 크게 증가시 P-소수캐리어인 전자가 가속해 다른원자들과 충돌하는 항복 현상 발생





Ref
https://news.lxsemicon.com/4924
https://news.samsungsemiconductor.com/kr/%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4-%EC%9A%A9%EC%96%B4-%EC%82%AC%EC%A0%84-n%ED%98%95-%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4/
https://news.samsungsemiconductor.com/kr/%eb%b0%98%eb%8f%84%ec%b2%b4-%ec%9a%a9%ec%96%b4-%ec%82%ac%ec%a0%84-p%ed%98%95-%eb%b0%98%eb%8f%84%ec%b2%b4/
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