22. 다양한 기억장치

주 기억장치

DDR

RAM 규격의 일종으로 1997년 삼성에 발표된 새로운 규격을 말한다.

• SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)
  • DRAM의 발전된 형태이며 동기식 DRAM이라고 할 수 있음
• SDR(Single Data Rate)
  • SDRAM 클럭 펄스의 변이(0 ↔ 1) 시 단 한 차례의 정보 전송만을 허용하는 구조
• DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)
  • 클럭 펄스의 상승 및 하강(0 → 1 → 0)에서 데이터를 전송 함으로 더 큰 대역폭을 달성
  • 클럭 주파수를 증가시키지 않고도 전송 속도를 두배 향상
  • DDR의 전송 속도는 266 ~ 400 MT/s
• DDR2 SDRAM
  • 향상된 버스 신호에 의해 DDR2의 free batch buffer는 4 bit
  • 내부 클럭 속도(133 ~ 200 MHz)는 DDR과 같지만 DDR2의 전송 속도는 향상된 I/O 버스 신호로 인해 533 ~ 800 MT/s 도달
• DDR3 SDRAM
  • DDR2 모듈에 비해 40% 전력 소비 낮춤
  • ASR(Automatic Self-Refresh) 및 SRT(Self-Refresh Temperature) 기능 추가
• DDR4 SDRAM
  • 낮은 작동 전압(1.2V)과 높은 전송 속도(2133 ~ 3200 MT/s)를 제공
  • DBI(Data Bus Inversion), CRC(Cyclic Redundancy Check) 및 CA parity 등 기능 추가
  • 신호 무결성 향상, 데이터 전송/엑세스 안정성 향상

동기식 DRAM은 제어장치의 입력이 클럭 펄스 주기와 같은 것을 의미

보조 기억장치

SSD(Solid State Drive)

• 고형 상태 보조 기억장치, 고체 상태와 트랜지스터를 뜻함
• 플래시 메모리로 구성되어 있어 소음이 없고 발열량 및 소모전력량이 낮음

SSD의 특징 및 장점

SSD의 가장 큰 장점은 데이터 입/출력 속도이다

USB(Universal Serial Bus)

기존에는 시리언 포트나 패래럴 포트 등의 데이터 입출력 단자에 연결하여 이용하는 주변 기기들을 좀 더 쉽게 이용하기 위해 만들어진 단자이다.