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EDS 공정
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2021년 6월 16일
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EDS공정
반도체
삼성반도체이야기
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반도체
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👩🔧 REVIEW
금속 배선 공정
전기 신호가 잘 전달되도록 반도체 회로 패턴에 따라 금속 선을 연결하는 작업
증착 기술을 이용
👩🔧 EDS 공정
반도체 공정의 마지막 절차
테스트를 통해 양품, 불량품, 선별
반도체 공정 과정에서의 테스트
EDS 공정
웨이퍼 완성 단계에서 이루어지는 테스트
패키징(Packaging) 공정
조립공정을 거친 패키지 상태에서 이루어지는 테스트
품질 테스트
제품 출하 전 소비자의 관점에서 실시되는 테스트
반도체 수율 향상과 직결된 EDS 공정
EDS 공정(Electrical Die Sorting)
웨이퍼 위에 전자회로를 그리는 FAB 공정과 최종적인 제품의 형태를 갖추는 패키지 공정 사이에 진행
전기적 특성 검사를 통해 개별 칩들이 원하는 품질 수준에 도달했는지를 확인하는 공정
EDS 공정의 목적
웨이퍼 상태인 반도체 칩의 양품/불량품 선별
불량 칩 중 수선 가능한 칩의 양품화
FAB 공정 또는 설계에서 발견된 문제점의 수정
불량 칩을 미리 선별해 이후 진행되는 패키징공정 및 테스트 작업의 효율 향상
전기적 특성 검사
각각의 칩들이 원하는 품질 수준에 도달하는지 체크
양품 가능 여부 판단
수선(Repair) 가능한 칩
다시 양품으로 제작
불가능한 칩
특정 표시(Inking)을 통해 불량으로 판정
이후 공정에서 제외되어 효율 증가
수율
웨이퍼 한 장에 설계된 최대 칩(Chip) 개수 대비 생산된 양품(Prime Good) 칩의 개수를 백분율로 계산한 것
반도체 생산성과 직결
반도체 수율을 높이기 위한 EDS 공정
프로브 카드(Probe Card)
프로브 카드에 웨이퍼를 접촉시켜 EDS 공정 진행
프로브 카드에 있는 수많은 미세한 핀(Pin)이 웨이퍼와 접촉해 보낸 전기 신호를 통해 불량 칩 선별
EDS 공정의 4단계
1단계: ET Test & WBI
ET Test(Electrical Test)
반도체 집적회로(IC) 동작에 필요한 개별 소자들(트랜지스터, 저항, 캐패시터, 다이오드)에 대해 전기적 직류전압, 전류 특성의 파라미터를 테스트하여 동작 여부를 판별하는 과정
반도체 칩으로 행하는 첫번째 테스트
WBI(Wafer Burn In)
웨이퍼에 일정 온도의 열을 가한 다음 AC(교류)/DC(직류) 전압을 가해 제품의 결합, 약한 부분 등 잠재적인 불량 요인 찾음
제품의 신뢰성을 효과적으로 향상시키는 공정
2단계: Hot/Cold Test
전기적 신호를 통해 웨이퍼 상의 각각의 칩 중 불량품이 있는지 판정
수선 가능한 칩은 수선 공정에서 처리하도록 정보 저장
특정 온도에서 정상적으로 동작하는지 판별
상온보다 높고 낮은 온도에서 테스트 병행
3단계: Repair/Final Test
EDS 공정에서 가장 중요한 단계
Hot/Cold 공정에서 수선 가능으로 판정된 칩들을 수선
수선이 끝나면 Final Test 공정을 통해 수선이 제대로 이루어졌는지 재차 검증 >> 양/불량 최종 판단
4단계: Inking
불량 칩에 특수 잉크를 찍어 육안으로도 불량을 식별할 수 있도록 만드는 공정
Inking 대상
Hot/Cold 공정에서 불량으로 판정된 칩
Final 공정에서 재검증 결과 불량으로 처리된 칩
웨이퍼에서 완성되지 않은 반도체 칩(Dummy Die)
과거: 불량 칩에 직접 잉크를 찍음
현재: Data만으로 양/불량 판별할 수 있도록 처리
처리된 불량칩은 조립 작업 진행하지 않음
조립 및 검사 공정에서 사용되는 원부자재, 설비, 시간, 인원 등의 손실 절감 효과
Inking 공정 이후, 웨이퍼는 건조(Wafer)된 후에 QC(Quality Control) 검사를 거쳐 조립 공정으로 이동
출처: 삼성 반도체 이야기
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