


R1은 Gate 단에 불필요 전류 방지.
R2는 풀 다운 저항 (플로팅 방지)
N채널 MOSFET:
Gate에 Source보다 높은 전압을 걸면 ON
보통 로우사이드 스위칭에 사용
P채널 MOSFET:
Gate에 Source보다 낮은 전압을 걸면 ON
보통 하이사이드 스위칭에 사용
GATE 저항 다는 이유
방전 루트 생성 필요
로우사이드 스위칭 (Low-side Switching)
MOSFET 위치 : 부하 아래쪽 (GND 방향)
N채널 MOSFET 사용
Gate에 HIGH → ON, LOW → OFF
장점: 제어 간편, Gate 드라이브 회로 단순
단점: GND와 부하 사이에 스위치가 있으므로 GND 공유 주의
용도: 모터, 릴레이, LED, 인덕터 구동 등
하이사이드 스위칭 (High-side Switching)
MOSFET 위치 : 전원과 부하 사이 (Vcc 방향)
P채널 또는 부트스트랩된 N채널 사용
Gate에 GND(또는 낮은 전압) → ON
장점: GND 고정, 부하 GND 단 연결 간편
단점: Gate 구동이 복잡 (특히 N채널의 경우 고전압 드라이버 필요)
용도: 자동차 전자장치, 보호 회로, 전원 공급 차단
PWM 스위칭 (Pulse Width Modulation)
ON/OFF를 정해진 주기로 반복하여 출력 전력 제어
Duty Ratio 조절 → 평균 전압 제어
PI/PID 제어기와 함께 사용 가능
스위칭 속도, 소자 온도, EMI 고려 필요
용도: LED 밝기 조절, DC 모터 속도 제어, 스위칭 전원
부스트/벅 컨버터 스위칭
병렬/직렬 스위칭
MOSFET이 전원과 부하 사이에 직렬로 연결됨
Gate에 ON 신호 → 전류 흐름 허용
OFF 상태일 때는 전류를 차단하여 부하에 전압 공급을 차단함
특징 :
가장 일반적인 스위칭 방식
로우사이드(N채널)나 하이사이드(P채널) 방식 모두 가능
부하에 흐르는 전류가 그대로 MOSFET을 통과함
MOSFET이 부하와 병렬로 연결되어 전류를 우회(bypass)시킴
ON 상태에서는 전류가 MOSFET으로 우회하여 Load에는 거의 전류가 흐르지 않음
OFF 상태일 때만 Load에 전류가 흐르게 되는 샌딩(sending)/방전 회로 등에서 사용됨
특징 :
부하 보호용으로 일시적 우회 경로 제공
일부 특수 회로나 다중 MOSFET 구성을 통해 효율을 조정할 때 사용됨
| 항목 | 전압 스위칭 (직렬) | 전류 스위칭 (병렬) |
|---|---|---|
| 연결 위치 | 전원과 부하 사이 | 부하와 병렬 |
| 제어 방식 | ON 시 전류 흐름 | ON 시 전류 우회 |
| 주요 목적 | 전력 공급 제어 | 전류 분기 / 바이패스 |
| 사용 예 | LED, 모터, 릴레이 등 구동 | 보호 회로, 전류 공유 |
Ref
https://ko.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://www.ktword.co.kr/test/view/view.php?no=3630
https://mathphysics.tistory.com/m/476
https://gdnn.tistory.com/89
http://www.ktword.co.kr/test/view/view.php?m_temp1=5836&id=1461
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fdd86252-d.pdf
https://andy-power.blogspot.com/2018/11/n-mosfet-tr.html#google_vignette
https://www.ariat-tech.kr/blog/mosfet-definition,working-principle-and-selection.html
MOSFET 증폭기
http://www.ktword.co.kr/test/view/view.php?no=4574
https://e-circuit.tistory.com/49
https://www.electronics-tutorial.net/Analog-CMOS-Design/MOSFET-Amplifiers/