SYNOPSYS DAY18(icc2)

진일·2024년 2월 14일
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SYNOPSYS (PT&ICC)

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3. Timing Setup

이 챕터 끝나고 알아야할 것들

  • 분석과 최적화를 위해 요구된 corner, mode, scenario 정의
  • OCV 적용
  • Tool에 읽혀질 만한지(셋업이 완벽한지) 확인 >> cell 만 불러온 상태에서 에러가 나타나면 안됨!

Mode & Corner

corner : 라이브러리에 있음 (PVT)
mode : sdc(PI에서 주는 타이밍 제약 조건 파일) ; 칩이 어떻게 동작하는지 나타냄

시나리오 = 모드 + 코너

시나리오대로 칩을 만드는 게 PD가 하는 일

Concurrent MCMM optimization

다중 코너와 다중 모드 타이밍 분석 및 최적화를 의미.
MCMM은 다중 코너와 다중 모드로 정의된 다양한 환경에서 회로의 타이밍을 분석하고 최적화하는 것을 의미

모드, 코너 그리고 시나리오 Setup

먼저 모드와 코너를 정의하고, 시나리오를 모드+코너 조합으로 정의함
create_mode M1
create_corner C1
create_scenario -mode M1 -corner C1 -name M1_C1

시나리오는 TOOL에서 한 번에 하나씩 작업이 가능함

current_scenario xxxx.ff_mxxxc
: {xxxx.ff_mxxxc}

OCV

즉 OCV는 칩이 다양한 환경 조건(PVT등등)에서 안정적으로 동작할 수 있도록 회로를 설계하고 평가하는 설계 기술

공정이 더 세밀해지고, 칩이 작아지면서 cell이 많아짐
비관적인 결과가 나타남
OCV로 해결이 되지 않음
해결책으로 나온 것이 AOCV

AOCV

Advanced On Chip Variation

배경)셀이 많아지고 공정이 세밀해지면서 결과가 비관적으로 나타나는 것

  • Random : 셀을 많이 지날수록 derate 값이 줄어듬 (셀이 많아진다는 것은 Depth가 증가)
  • Systemic : net의 길이가 길수록 derate 값이 증가함 (NET가 길어진다는 것은 Distance 증가)

AOCV는 Depth와 Distance에 대한 표를 기준으로 계산한다.

표를 읽으면 tool이 알아서 derate를 계산

공정이 더욱 세밀해지고 칩이 작아지면서 이걸로 해결이 불가
다시 나온 해결책으로 POCV

POCV

Parametric OCV

표준편차를 이용하여 계산

POCV의 입력데이터는 공정사에서 주거나 LVF(라이브러리 안에 포함) 되어있음

설계자도 corner 시그마에 대해 값 설정 가능

Timing Sanity Check : 무결성 검사

전제조건) ZIC (zero interconnect) : net delay = 0
즉, cell delay만 본다
처음에 하는 습관이 중요

만일 Violation이 나타나면 큰 문제

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디지털 시스템 설계 백엔드 엔지니어를 꿈꾸는

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