💡Today Keyword

• Analog In-memory Computing

• Vertical PCRAM Integration

• Automotive Physical AI SoC

📢TSMC, 로직 공정 통합형 수직 구조 PCRAM 특허 및 설계 기술 공개

• ✔️발표 기업: TSMC

• ✔️발표 일자: 26.04.25 (특허 분석 보고서 업데이트 기준)

• ✔️발표 기술 분야: 디지털 및 혼성 신호 회로 설계 (Next-gen Memory)

• ✔️핵심 내용
  1️⃣ TSMC가 기존 로직 공정의 프론트엔드(FEOL)를 방해하지 않고 백엔드(BEOL) 금속 층에 통합 가능한 수직 구조의 PCRAM(Phase Change Memory) 설계 기술을 확보함.
  2️⃣ 산화물 반도체 셀렉터를 게이팅 소자로 사용하여 3D 어레이 구조에서의 전류 누설을 차단하고, 면적 효율성을 극대화하는 칩 내장형 비휘발성 메모리 아키텍처를 제시함.
  3️⃣ 이는 엣지 AI 디바이스에서 전력 소모를 줄이면서도 고속 데이터 처리가 가능한 '컴퓨팅-인-메모리(CiM)' 회로 설계의 핵심 기술로 평가받음.

📢보스반도체, 오토 차이나 2026에서 차세대 'Physical AI' SoC 공개

• ✔️발표 기업: BOS Semiconductors (국내 팹리스 스타트업)

• ✔️발표 일자: 26.04.24

• ✔️발표 기술 분야: 디지털 회로 설계 (Automotive & Robotics SoC)

• ✔️핵심 내용
  1️⃣ 차량용 AI 반도체 전문 기업인 보스반도체가 자율주행과 로보틱스를 아우르는 'Physical AI' 전용 SoC 아키텍처를 발표함.
  2️⃣ 복잡한 물리적 환경 데이터를 실시간으로 처리하기 위해 하드웨어 가속기(NPU)와 고성능 디지털 로직 인터페이스를 최적화하여 저전력·고성능 연산을 구현함.
  3️⃣ 특히 자동차 신뢰성 기준을 충족하면서도 대규모 병렬 연산이 가능한 회로 구조를 통해 글로벌 팹리스 시장 내에서의 기술 경쟁력을 입증함.

📢Phase Change Memory의 아날로그 컴퓨팅 전환과 3D Crossbar 설계 트렌드

• ✔️발표 기업: Samsung, IBM, Intel, TSMC (IP 랜드스케이프 분석)

• ✔️발표 일자: 26.04.26

• ✔️발표 기술 분야: 디지털 가속기 및 뉴로모픽 하드웨어 설계

• ✔️핵심 내용
  1️⃣ 글로벌 기업들이 기존의 바이너리 저장 방식을 넘어선 아날로그 인메모리 컴퓨팅(Analog In-memory Computing) 을 위한 PCM 특허 경쟁을 가속화하고 있음.
  2️⃣ Multi-step Write 알고리즘과 고급 OTS 셀렉터 회로 설계를 통해 3D 어레이 구조에서의 신뢰성을 확보하고 AI 연산 정밀도를 높이는 기술이 주축을 이룸.
  3️⃣ 이는 고성능 연산 시 데이터 이동으로 발생하는 병목 현상을 해결하기 위한 차세대 디지털-아날로그 혼성 회로 설계의 주요 방향성을 제시함.