🤔 기억장치
데이터를 보존하는 장치
기본 구조
Code 영역
실행할 프로그램의 코드
Data 영역
전역 변수, 정적 변수
프로그램 시작 시 할당, 종료 시 소멸
Heap 영역
사용자의 동적 할당
Stack 영역
지역 변수, 매개 변수
함수 호출 시 할당, 종료 시 소멸
🏔️ 계층적 기억장치 시스템
↑ 비용 상승
↑ 액세스 빈도 상승
시간 차이로 인한 효율 저하를 최소화
내부 기억장치
CPU가 직접 액세스
외부 기억장치
장치 제어기를 통하여 CPU가 액세스
보조기억장치라 부름
주로 프로그램, 데이터 저장
Byte/단어 단위가 아닌 블록/페이지 단위로 액세스
⚙️ 반도체 기억장치
RAM
(Random Access Memory)
CPU가 직접 액세스
-> 어디에 있던 액세스 시간이 동일
💨휘발성
SRAM (Static RAM)
캐시메모리에 사용됨
🔋안정한 상태 유지
-> 전력이 공급된다면 충전하지 않아도 무방
DRAM (Dynamic RAM)
주기억장치에 사용됨
🔌방전
-> 주기적인 충전 필요
-> 재충전회로를 포함함
SDRAM
ROM
(Read Only Memory)
주기억장치에 사용됨
📌비휘발성
Read Only
-> 프로그램이나 변경될 수 없는 데이터를 저장
- 시스템 초기화 및 진단 프로그램
- 빈번히 사용되는 함수들, 서브루틴들
- 제어 유니트의 마이크로프로그램
🖊️ PROM (Programmable ROM)
쓰기 1회
✏️ EPROM (Erasable PROM)
더 많은 쓰기 횟수
자외선으로 지움
⚡ EEPROM (Electrically EPROM)
더 더 많은 쓰기 횟수
전기 신호로 지움
🌟 플래시 메모리 (flash memory)
반영구적인 쓰기 횟수
삭제가 빠른 EEPROM
⚙️ 차세대 기억장치
비휘발성인데 액세스 속도가 높은 기억장치
PRAM
Phase-change RAM
FRAM
Ferroelectric RAM
MRAM
Magnetic RAM
김종현 저, 『컴퓨터구조론』, 생능출판, 2019.
입니다.