메인 기사 - Samsung MBCFET
참고 문헌 1 - 삼성 3나노 전략 윤곽…"2022년 GAA 기반 독자기술 도입"
참고 문헌 2 - 삼성전자 유튜브 영상

요약

FinFET은 gate와 oxide가 닿는 면적을 3면으로 늘려서 gate controllability를 늘리는 기술을 말한다.

Gate controllability가 늘어나니 DIBL(Drain-Induced Barrier Lowering), GIDL(Gate-Induced Drain Leakage) 같은 대표적인 SCE(Short Channel Effects)가 줄어들었다.

하지만, Fin 구조는 고도의 etching 기술이 필요하다. 아주 사소한 결함도 구조에 크게 영향을 주는 결함으로 작용하기 때문이다. 또한, 채널을 늘리고 싶다면 수평으로 늘려야한다는 점도 문제가 된다.

GAAFET (또는 nanowire)은 수직적층 방식으로 채널을 늘릴 수 있는 방법을 말한다. control 영역을 4면으로 늘려서 FinFET의 장점을 더 강화돼 계승한다.

MBCFET은 삼성전자의 GAAFET 마케팅 용어라고 생각하면 된다. 차이점은 채널의 제조 형태인데, GAAFET은 wire의 개수를 조절하며 전류량(=성능)을 조정하는 반면, MBCFET은 sheet 단면적을 조절하며 전류랑을 조정한다. 따라서 wire 개수의 정수배로 성능을 조절할 수 있는 기존이 GAAFET보다 연속적인 값(면적)으로 성능을 조절할 수 있는 MBCFET이 더 유리하다.